ASML不賣DUV 陸晶片死路一條?美1漏洞讓北京大爆殺

ASML不賣DUV 陸晶片死路一條?美1漏洞讓北京大爆殺

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傳艾司摩爾同意不出售生產成熟製程晶片的DUV設備給大陸。(示意圖/達志影像/shutterstock)

外媒日前報導,荷蘭、日本加入對大陸半導體設備出口管制行列,美日荷三國已達成共識,傳出荷廠艾司摩爾(ASML)同意不出售生產成熟製程晶片的深紫外光(DUV)設備給大陸,但產業分析師認爲,若目標是爲了打壓大陸先進技術能力,其中還存在不少漏洞。

集微網報導,知名產業分析師Dylan Patel表示,如果是限制大陸取得14奈米、7奈米或5奈米先進製程技術,那麼禁令必須達到能夠處理這些節點功能的不同級別工具。

如臺積電16奈米和12奈米技術,最小金屬間距爲64奈米;臺積電7奈米技術最小金屬間距爲40奈米;5奈米制程技術最小金屬間距爲28奈米,出口禁令應基於這些參數制定適用標準。

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Patel認爲,透過自對準四重圖案(SAQP)等技術和DUV曝光機,中芯國際已經跨入7奈米制程,而且這並不是經濟上可實現的極限,臺積電N5使用的28奈米最小金屬間距,可以在沒有極紫外光(EUV)設備的情況下製造。

Patel說,若不讓大陸14奈米晶片大規模量產,必須阻止所有可以實現製程上最小金屬間距64奈米工具,理論上,連KrF(光阻劑)曝光機業者也需要納入限制,SAQP搭配KrF曝光機,儘管經濟效益不是最優,不過足以應對大陸境內緊急需求。

報導指出,Patel推算,不考慮經濟成本,只靠現有DUV機臺,中芯國際理論上就可實現每月超過10萬片晶圓的7奈米代工產能,高於三星和英特爾7奈米(含)以下先進製程產能總和。若華虹、華力、長江存儲、長鑫存儲等目前DUV設備全被中芯調用,其打造出7奈米產能將甚至超過臺積電。

此外,Patel認爲,目前光阻劑和曝光機關鍵零組件並無出口限制,也是一個重大的漏洞,美國要壓制大陸先進製程能力,必須阻止這些工具的流通,但關鍵供應商很容易被上海微電子等本土曝光機商所觸及。

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